第1013 星辰大海，脑机互联

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　　下午的会议，郑振川就没有再参加了。

　　但远芯对半导体行业的讨论仍然在继续。

　　“过去十几年，我们一直在和intel比工艺，截止去年，我们都已经走到了成熟的45nm节点上。”张汝金戴上了老花镜，瞥了一眼手中的文件，脸上是不甚唏嘘的感慨：“不得不说,  intel还是很厉害的，我们每次有领先，他们总是能够及时的追上来甚至还能反超。”

　　“摩尔定律就是这么实现的。”苏远山笑着补充了一句。

　　“是啊，但今年我们可以提前一大步了。”张汝金笑呵呵地望向众人，但主要的视线还是停在苏远山的脸上。

　　毕竟，这与会的多人里，还是苏远山对半导体工艺理解得最深刻。

　　“最迟年中，我们就可以推出基于22nm的finfet工艺,  把晶圆的晶体管密度再上一个台阶。而且我们目前的DE技术已经成熟，目前正在向SADP技术转移，从技术的角度，是可以支撑我们的工艺在DUV的条件下把制程继续往下探，或者说，等效制程往下探。”

　　//DE（double  exposure，双重曝光），SADP（self-aligned  double  patterning自对准双重成像）

　　“如果intel跟不上，那这将会是一次巨大的领先！”张汝金红光满脸，终于忍不住有些激动起来：“制程进入到22nm之后，finfet将会是唯一的选择，最起码目前是。”

　　在场的众人并不是每个人都对半导体工艺有理解,  见到身边的周小慧露出迟疑的神色，苏远山就轻轻咳了一声，笑着替她解释道：“目前的电脑芯片一直采用mosfet结构,  嗯……准确的说,  是NPN结构……”

　　见周小慧还是有些不懂，苏远山便放弃了解释,  直接道：“反正就是,  我们以前所说的制程就是指的mosfet结构中的沟道长度。沟道越短，电阻越小，性能越高，同时晶体管密度也就越大，所以才要不断提升制程。”

　　“哦？然后呢？”

　　“然后就是如果还是沿用以前mosfet结构的话，当沟道长度越来越短，譬如22nm之后，源极和漏极之间也会越来越近，电场也越来越近。”苏远山说着伸出双手靠近

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